當前，隨著半導體技術(shù)不斷微縮，先進的集成電路器件已從平面向三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，集成電路制造工藝正變得越來越復雜，往往需要經(jīng)過幾百甚至上千道的工藝步驟。對于先進的半導體器件制造，每經(jīng)過一道工藝，硅片表面都會或多或少的存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復雜性，使得半導體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來越敏感。
對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求，其關(guān)鍵點在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力，目前很多半導體廠家的清洗方式都是酸洗、人工擦拭，效率慢不說，還會產(chǎn)生二次污染。那目前什么樣的清洗方式比較適合在半導體產(chǎn)品上的清洗呢?激光清洗是目前來說比較合適的一種方式，當激光掃描過去，材料表面的污垢都被清除，而且對于縫隙中的污垢都可以輕松得去除，不會刮花材料表面，也不會產(chǎn)生二次污染，是一種放心的選擇。
另外，隨著集成電路器件尺寸持續(xù)縮小，清洗工藝過程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問題，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無熱效應(yīng)，不會對被清洗物體產(chǎn)生表面損壞，且不會產(chǎn)生二次污染等傳統(tǒng)清洗方法所無法比擬的優(yōu)勢，是解決半導體器件污染最佳的清洗方法。
